电网无功补偿方式的探讨

概述了电网无功补偿的基本情况，并对几种无功补偿方式进行了技术分析，结合几种补偿方式的特点，提出了无功补偿配置原则。     

高频微型脉冲管制冷机的实用化研究

脉冲管制冷机经过多年的发展，性能不断改善，目前已开始进入实用化阶段。高频微型脉冲管制冷机结构紧凑，应用方便，并且主要工作在需求量较大的液氮温区，因此将首先得到一定规模的应用。介绍了作者针对脉冲管制冷机在红外和超导方面的应用所作的实用化工作，讨论了尚待解决的问题。     

单片机软件模拟SPI接口的解决方案

SPI接口是一种同步串行通讯接口，具备SPI接口的外围芯片十分丰富，应用非常广泛。但是，具备SPI接口的单片机种类较少。介绍了一种基于单片机的模拟SPI接口的方法，使没有SPI接口的单片机扩展带有SPI接口的外围芯片成为现实。     

电控平行排列液晶光栅的光衍射特性研究

对电控平行液晶光栅的理论进行了分析,并配以结构原理图。通过对平行排列及90°扭曲排列液晶指向矢的计算,得出液晶盒中相应的折射率、相位差与电压之间的关系图,两者经比较证明平行排列更具适用性,并在实验中观测到了平行排列液晶光栅衍射特性与电压的关系。     

一种快速CRC 算法①的硬件实现方法

介绍了CRC校验算法的硬件电路实现方法。CRC校验广泛应用于通信、存储系统，在串行CRC实现的基础上，对电路结构提出了改进的方案，并实现了CRC的并行计算，由此进一步可以适用于任意位数据宽度的数据输入情况。     

岩金矿山采空区处理现状及对策

岩金矿山以浅眼留矿法为代表的空场采矿法为主要开采手段，约占50％，每年形成数百万m^3采空区，并绝大多数未进行专门处理。本文介绍数例岩金矿山采空区处理方法及效果与对策，供有关企业参考。     

位置灵敏探测器数据采集的软件设计

介绍了一个基于Windows操作系统的数据采集软件，该软件用于使用重心法确定的位置信息的位置灵敏探测器，具有方便的人机交互界面，使用专用驱动程序采集数据。     

油气输送管线冰堵定位检测技术的开发与应用

冬季油气输送管线的冰堵时刻威胁着高寒地区石油化工装置的安全运行，带式传感器动态应变定位检测技术的研制与开发解决了这一难题，它能迅速而准确地查找冰堵点，从而保证炼化装置的冬季正常运行。     

Rendering of Surface and Volume Details in Volume Data*

Aiming at the detail rendering in volume data, a new volume illumination model, called Composed Scattering Model (CSM), is presented. In order to enhance different details in volume data, scattering intensity is decomposed into volume scattering intensity and surface scattering intensity with different weight functions. According to the Gauss probability distribution of gray and gradient of data, we propose an accurate method to detect the materials in a voxel, called composed segmentation. In addition, we discuss the principle of constructing these weight functions based on the operators defined in composed segmentation. CSM can generate images containing more details than most popular volume rendering models. This model has been applied to the direct volume rendering of 3D data sets obtained by CT and MRI. The resultant images show not only rich details but also clear boundary surfaces. CSM is demonstrated as an accurate volume rendering model suited for detail enhancement in volume data sets.     

1μm宽硅深槽刻蚀技术

介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响刻蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深槽刻蚀工艺条件。